BJT vs FET
Tanto BJT (transistor de unión bipolar) como FET (transistor de efecto de campo) son dos tipos de transistores. El transistor es un dispositivo semiconductor electrónico que proporciona una señal de salida eléctrica que cambia en gran medida para pequeños cambios en pequeñas señales de entrada. Debido a esta calidad, el dispositivo se puede utilizar como amplificador o como interruptor. Transistor fue lanzado en la década de 1950 y se puede considerar como uno de los inventos más importantes del siglo XX, considerando su contribución al desarrollo de las TI. Se han probado diferentes tipos de arquitecturas para transistores.
Transistor de unión bipolar (BJT)
BJT se compone de dos uniones PN (una unión hecha conectando un semiconductor tipo ap y un semiconductor tipo n). Estas dos uniones se forman mediante la conexión de tres piezas semiconductoras del orden de PNP o NPN. Allí hay disponibles dos tipos de BJT conocidos como PNP y NPN.
Tres electrodos están conectados a estas tres partes semiconductoras y el cable del medio se llama "base". Otras dos uniones son 'emisor' y 'colector'.
En BJT, la corriente del emisor de colector grande (Ic) está controlada por la corriente del emisor de base pequeña (IB) y esta propiedad se aprovecha para diseñar amplificadores o interruptores. Ahí puede considerarse como un dispositivo impulsado por corriente. BJT se usa principalmente en circuitos amplificadores.
Transistor de efecto de campo (FET)
FET está compuesto por tres terminales conocidos como 'Puerta', 'Fuente' y 'Drenaje'. Aquí la corriente de drenaje está controlada por el voltaje de la puerta. Por lo tanto, los FET son dispositivos controlados por voltaje.
Dependiendo del tipo de semiconductor utilizado para la fuente y el drenaje (en FET, ambos están hechos del mismo tipo de semiconductor), un FET puede ser un dispositivo de canal N o canal P. La fuente para drenar el flujo de corriente se controla ajustando el ancho del canal aplicando un voltaje apropiado a la puerta. También hay dos formas de controlar el ancho del canal conocidas como agotamiento y mejora. Por lo tanto, los FET están disponibles en cuatro tipos diferentes, como canal N o canal P, con modo de reducción o mejora.
Hay muchos tipos de FET, como MOSFET (FET semiconductor de óxido metálico), HEMT (Transistor de alta movilidad de electrones) e IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada). CNTFET (Carbon Nanotube FET), resultado del desarrollo de la nanotecnología, es el último miembro de la familia FET.
Diferencia entre BJT y FET
1. BJT es básicamente un dispositivo impulsado por corriente, aunque FET se considera un dispositivo controlado por voltaje.
2. Los terminales de BJT se conocen como emisor, colector y base, mientras que FET está hecho de compuerta, fuente y drenaje.
3. En la mayoría de las nuevas aplicaciones, se utilizan FET que BJT.
4. BJT usa tanto electrones como huecos para la conducción, mientras que FET usa solo uno de ellos y, por lo tanto, se denominan transistores unipolares.
5. Los FET son energéticamente eficientes que los BJT.
