Diferencia Entre IGBT Y GTO

2024 Autor: Mildred Bawerman | [email protected]. Última modificación: 2023-12-16 08:38

IGBT frente a GTO

GTO (tiristor de apagado de puerta) e IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de dispositivos semiconductores con tres terminales. Ambos se utilizan para controlar corrientes y para fines de conmutación. Ambos dispositivos tienen un terminal de control llamado "puerta", pero tienen diferentes principios de funcionamiento.

GTO (tiristor de apagado de puerta)

GTO está hecho de cuatro capas semiconductoras de tipo P y N, y la estructura del dispositivo es un poco diferente en comparación con un tiristor normal. En el análisis, GTO también se considera un par acoplado de transistores (uno PNP y otro en configuración NPN), al igual que para los tiristores normales. Tres terminales de GTO se denominan "ánodo", "cátodo" y "puerta".

En funcionamiento, el tiristor actúa como conductor cuando se proporciona un pulso a la puerta. Tiene tres modos de funcionamiento conocidos como 'modo de bloqueo inverso', 'modo de bloqueo directo' y 'modo de conducción directa'. Una vez que la puerta se activa con el pulso, el tiristor pasa al "modo de conducción directa" y sigue conduciendo hasta que la corriente directa se vuelve menor que el umbral de "corriente de retención".

Además de las características de los tiristores normales, el estado "apagado" del GTO también se puede controlar mediante pulsos negativos. En tiristores normales, la función 'apagado' ocurre automáticamente.

Los GTO son dispositivos de potencia y se utilizan principalmente en aplicaciones de corriente alterna.

Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor', 'Colector' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor que puede manejar una mayor cantidad de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación, lo que lo hace altamente eficiente. IGBT se introdujo en el mercado en la década de 1980.

IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar (BJT). Es impulsado por compuerta como MOSFET y tiene características de voltaje actual como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas de la capacidad de manejo de alta corriente y la facilidad de control. Los módulos IGBT (constan de varios dispositivos) manejan kilovatios de potencia.

¿Cuál es la diferencia entre IGBT y GTO?

1. Tres terminales de IGBT se conocen como emisor, colector y puerta, mientras que GTO tiene terminales conocidos como ánodo, cátodo y puerta.

2. La puerta del GTO solo necesita un pulso para la conmutación, mientras que IGBT necesita un suministro continuo de voltaje de puerta.

3. IGBT es un tipo de transistor y GTO es un tipo de tiristor, que puede considerarse como un par de transistores estrechamente acoplados en el análisis.

4. IGBT tiene solo una unión PN y GTO tiene tres

5. Ambos dispositivos se utilizan en aplicaciones de alta potencia.

6. GTO necesita dispositivos externos para controlar los pulsos de apagado y encendido, mientras que IGBT no los necesita.