IGBT frente a MOSFET
MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) e IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de transistores, y ambos pertenecen a la categoría accionada por puerta. Ambos dispositivos tienen estructuras de aspecto similar con diferentes tipos de capas de semiconductores.
Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
MOSFET es un tipo de transistor de efecto de campo (FET), que está formado por tres terminales conocidos como 'Puerta', 'Fuente' y 'Drenaje'. Aquí, la corriente de drenaje está controlada por el voltaje de la puerta. Por lo tanto, los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje.
Los MOSFET están disponibles en cuatro tipos diferentes, como canal n o canal p, con modo de reducción o mejora. El drenaje y la fuente están hechos de semiconductores de tipo n para MOSFET de canal n, y de manera similar para dispositivos de canal p. La puerta está hecha de metal y se separa de la fuente y el drenaje con un óxido metálico. Este aislamiento provoca un bajo consumo de energía y es una ventaja en MOSFET. Por lo tanto, MOSFET se usa en lógica CMOS digital, donde los MOSFET de canal py n se usan como bloques de construcción para minimizar el consumo de energía.
Aunque el concepto de MOSFET se propuso muy temprano (en 1925), prácticamente se implementó en 1959 en los laboratorios Bell.
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor', 'Colector' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor que puede manejar una mayor cantidad de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación, lo que lo hace altamente eficiente. IGBT se introdujo en el mercado en la década de 1980.
IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar (BJT). Es impulsado por compuerta como MOSFET y tiene características de voltaje actual como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas de la capacidad de manejo de alta corriente y la facilidad de control. Los módulos IGBT (constan de varios dispositivos) pueden manejar kilovatios de potencia.
Diferencia entre IGBT y MOSFET
1. Aunque tanto IGBT como MOSFET son dispositivos controlados por voltaje, IGBT tiene características de conducción similares a las de BJT.
2. Los terminales de IGBT se conocen como emisor, colector y puerta, mientras que MOSFET está hecho de puerta, fuente y drenaje.
3. Los IGBT manejan mejor la potencia que los MOSFETS
4. IGBT tiene uniones PN y los MOSFET no las tienen.
5. IGBT tiene una caída de voltaje directa más baja en comparación con MOSFET
6. MOSFET tiene una larga historia en comparación con IGBT
